high k metal gate原理
這類金屬閘極和高介電常數的絕緣氧化物都是多元素交錯沉積的層狀結構,其中每層材料的厚度極薄,通常都在1-2nm以下,因此在層狀厚度、介面平整度和成份 ...,2022年1月21日—...high-k/metalgate),介電層的k值愈大,氧化層電容(Cox)愈大,電晶體電流愈大,且可在...
淺談先進電晶體:新一輪晶片製程中,誰勝出?有何發展趨勢?
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2022年1月21日—...high-k/metalgate),介電層的k值愈大,氧化層電容(Cox)愈大,電晶體電流愈大,且可在相同的等效氧化層厚度(equivalentoxidethickness,EOT ...
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